如此一来，国网高压隔离关用户既能戴上VR设备享受沉浸式观影体验，又能体验人与屏幕影像实时互动的超爽刺激，身临其境地体验超越现实感官的全新观影效果。

然而，年特简单调节反应源的蒸发温度和相对用量并无法有效的控制反应体系中的Mo:S，年特这是由于S蒸汽在反应初期可以高效地加快Mo源（这里说的是最为常用的MoO3）的挥发，而随着S浓度的增加，Mo源快速地消耗，又会造成Mo蒸汽浓度的快速下降，这一过程导致了MoS2的生长始终处于一个复杂的动力学环境中，不利于高质量的单层MoS2的生长，也使得实现对这一反应的有效调控困难重重。本文采用的实验装置与传统CVD生长方法几乎完全一致，换流和接只是在Mo源上方覆盖了一层致密的惰性氧化物抑制层以调控Mo蒸汽的释放。

站备直流(i)制备得到的MoSe2连续单层薄膜的光学图片（标尺为200微米）。品备南方科技大学-香港科技大学联合培养博士石润为本文的第一作者。图5.Al2O3作为抑制层辅助生长的1T相MoTe2样品(a单层，标交b双层)的光学图片（标尺为20微米）。

开关图3.(a-d)使用不同用量的SnO2(4mg,5mg,6mg,7mg)制得的MoS2样品在靠近反应源的边缘位置的光学图片（标尺为200微米）。而氢气的加入使得整个生长过程变快而更加依赖于反应体系的瞬时动力学条件，地开这就使得对于MoSe2的有效控制十分困难。

稳定的氧化物抑制层可以作为一个可调节的安全阀控制CVD反应中Mo蒸汽的释放过程，国网高压隔离关以实现对反应体系中Mo蒸汽浓度及其空间分布的有效调控，国网高压隔离关进而维持一个稳定的MoX2生长动力学环境以制备出高质量的MoX2单层薄膜。

利用氧化物抑制层辅助的CVD反应，年特我们成功制备了1T相MoTe2的单层以及双层结构，年特和此前报道的结果类似，制备得到的MoTe2呈不规则的带状，而不是完整规整的几何结构。碳纳米材料，换流和接尤其是一维（1D）的碳纳米管（CNTs）和二维（2D）的石墨烯在过去数十年间的快速发展，为构型设计带来了新的契机。

站备直流（b）不同石墨烯含量-名义弹性模量关系图。【成果简介】通常复合材料的设计性体现在三个方面：品备增强相选择、界面改性和空间构型设计。

标交（b）不同碳纳米管含量-名义断裂韧性关系图图9不同构型碳纳米管（或石墨烯）增强金属基复合材料力学性能对比（a）不同石墨烯含量-屈服断裂强度关系图。(6)对于碳纳米相增强金属基复合材料，开关已有报道表明叠层和网络构型可以有效突破强韧倒置的瓶颈问题。